Za pomocą poniższych instrukcji możliwe jest sprawdzenie poszczególnych diod i tranzystorów IGBT

1. Zdejmij połączenie z zacisków wejściowych [R, S, T] oraz wyjściowych [U, V, W]
2. Zdejmij połączenie (o ile takie istnieje) z zacisków [+] i [RB]
3. Przygotuj cyfrowy woltomierz (DVM- pomiar półprzewodników) i ustaw go na zakresie rezystancji 1W. Sprawdź stan zużycia wewnętrznych elementów półprzewodnikowych podłączając odpowiednio bieguny miernika do zacisków [R, S, T, U, V, W, RB, + i -] (patrz tabela poniżej).

NOTATKA: Wartość rezystancji odczytanej nie będzie zawsze taka sama dla poszczególnych zacisków, jednak wartości te powinny być zbliżone. Jeśli odczytane wartości znacząco się od siebie różnią, może to oznaczać uszkodzenia wewnętrznych elementów w falowniku

NOTATKA: Zanim przystąpisz do pomiaru napięcie między zaciskami [+] i [-], upewnij się czy kondensatory gładzące są całkowicie wyładowane.